核心逻辑:AI 服务器驱动 HBM 需求持续超过供给,且缺口逐年加深(HBM 供需缺口:2026E -4.3% → 2027E -5.4% → 2028E -6.0%)。新一代 HBM 核心 die 与基底 die 转向更先进节点、堆叠层数增加压低良率,HBM 对 DRAM 的晶圆消耗比上升,导致增量供给更少。更关键的是商业模式质变:LTA 长期协议(3-5 年滚动)锁定 60-70% 产能,含地板价、大额预付款与照付不议条款——美光已锁定 220 亿美元保证金、SanDisk 超 110 亿美元财务担保、三星已收到合同预付款总额约 1/4 并与全球前五大数据中心客户完成签约。存储正在从「强周期股」被重估为「AI 长周期成长股」。
~$2.9/Gb2027E HBM 混合均价(同比 +87%~100%,高于市场共识 24%)
~$2.0/Gb2026 年底传统 DRAM 均价预测(2025 年底仅 $0.5-0.6,涨约 3 倍)
265 万亿韩元海力士 2026E 营业利润(OPM 76.8%,ROE 105%)
3.5x / 3.6x海力士/三星 2027E 市盈率——市场仍按周期股定价
474EB +66%2026E 企业级 SSD 需求(NAND 不过剩,2027 年更紧)
2-3 代长鑫存储(CXMT)与全球厂商的技术差距 + EUV 受限,近中期无实质冲击
标的:三星电子(Buy,Conviction List,TP ₩490,000,现价 ₩207,000,+137%)、SK 海力士(Buy,TP ₩3,500,000,现价 ₩2,333,000,+50%)。近期一个月两者分别回调 -23%/-35%,高盛归因为外资触及 10% 个股持股上限被动减仓、杠杆 ETF 去杠杆(AUM 530 亿→250 亿美元)、对冲基金净配置 7.2%→4.1%——仓位出清而非基本面恶化,反弹时 1.1x FY27 P/B 构成强估值底部。催化剂:Q6 股东回报(三星 2026 DPS 预测 ₩9,500 仍有上行、海力士回购注销对冲 ADR 稀释)、3Q26 海力士量价齐升(DRAM bit +10%、ASP +19%)、HBM4 放量。